مقالات آموزشی - تالارهای پادشاه ایرانی
تالارهای پادشاه ایرانی

بازگشت   تالارهای پادشاه ایرانی > علمی فرهنگی > علوم ریاضی و فنی > مهندسی الکترونیک

مهندسی الکترونیک تمامی مباحث الکترونیک در اينجا

پاسخ
 
ابزارهای تاپیک

مقالات آموزشی
  #1  
قدیمی 08/05/2010
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
مقالات آموزشی

به نام خدا
سلام.
در این تاپیک مقالات آموزشی را قرار می دهیم.
امیدواریم مطالب سودمند باشند...
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
3 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

5 تاپیک آخر توسط asuka
تاپیک تالار آخرین ارسال کننده پاسخ نمایش آخرین پست
ایجاد پشت زمینه حبابی آموزش و مقالات نرم افزاری asuka 0 1533 04/03/2012 21:24
چارت درسی گرایشهای الکترونیک مهندسی الکترونیک asuka 6 2332 02/03/2012 12:16
پروژه روبات کنترل از راه دور توسط سنسورهای مادون... مهندسی رباتيک و مکاترونیک asuka 0 1116 25/02/2012 10:24
روبات دنبال کننده نور مهندسی رباتيک و مکاترونیک asuka 0 1030 25/02/2012 09:43
روبات دنبال کننده خط توسط سنسور مادون قرمز مهندسی رباتيک و مکاترونیک asuka 0 1051 25/02/2012 09:38


ابر رسانا
  #2  
قدیمی 13/05/2010
آواتار Alireza_Mahan23
Alireza_Mahan23 Alireza_Mahan23 آفلاین است
معاون کل تالار بازنشسته

مدال افتخار پادشاه ایرانی مدیر نمونه ماه مدیر نمونه ماه 

 

نام: عليرضا
جنسيت: مرد
شغل: مهندس عمران
محل سکونت: ایران-مشهد
مدرک تحصيلی: کارشناسی ارشد
پست: 20,326
سپاس: 6,592
از این کاربر 13,662 بار در 8,032 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 4
به این کاربر 13 بار در 13 پست اعتراض شده
چوب: 20,951,244
ابر رسانا

(فقط كاربران عضو مجاز به دیدن لینک ها هستند) :
ابر رسانا

رسانايى خاصيتى از مواد است كه باعث انتقال انرژى الكتريكى در آنها مى شود. اين خاصيت در مواد مختلف، يكسان نيست. طلا و نقره رسانا هاى خيلى خوبى هستند در حالى كه شيشه يا پلاستيك اصلاً رسانا نيستند. مانعى در برابر رسانش الكتريكى است كه مقاومت ناميده مى شود. تغييرات جزيى ترموديناميكى و الكترو مغناطيسى، روى آن تاثير مى گذارد.بشر همواره مى خواسته كه راه هاى توليد انرژى را ارزان تر كند و يكى از بهترين گزينه ها براى كم كردن هزينه كشف موادى است كه مقاومت كمترى دارند. اما در بعضى از مواد وقتى كه به يك دماى خاص برسيم، تغييرى در حالت ماده به وجود مى آيد كه به آن ابررسانايى مى گويند. در اين حالت مقاومت الكتريكى از بين مى رود به طورى كه جريانى كه در يك حلقه ابررسانا توليد مى شود تا صد هزار سال بدون تغيير باقى مى ماند!



پژوهش براي بررسي تغيير مقاومت الكتريكي اجسام در دماهاي پائين براي نخستين بار توسط دانشمند اسكاتلندي جيمز دئِور در اواسط قرن نوزدهم آغاز شد. در سال 1864، دو دانشمند لهستاني به نامهاي زيگموند روبلوفسكي و كارل اولزفسكي كه روشي براي براي مايع ساختن اكسيژن و نيتروژن، يافته بودند، به بررسي خواص فيزيكي عناصر و ازجمله مقاومت الكتريكي در دماهاي خيلي كم ادامه دادند و پيش‌بيني نمودند مقاومت الكتريكي در دماهاي كم به شدت كاهش مي‌يابد. روبلوفسكي و اولزفسكي نتايج فعاليت خود را در سال 1880 منتشر ساختند. بعد از آن دِئور و فلمينگ نيز پيش‌بيني ‌خود را مبني بر الكترومغناطيس شدن كامل فلزات خالص در دماي صفر مطلق بيان داشتند. البته دئور بعدها تئوري خود را اصلاح و اعلام داشت مقاومت اينگونه فلزات در دماي مورد اشاره به صفر نمي‌رسد اما مقدار بسيار كمي خواهد بود. والتر نرست نيز با بيان قانون سوم ترموديناميك بيان داشت كه صفر مطلق دست‌نيافتني است. كارل ليند و ويليام همپسون آلماني در همين زمانها روش خنك‌سازي و مايع ساختن گازها با افزايش فشار را به ثبت رساندند.
در سال 1900، نيكلا تسلا كه با سيستم خنك‌سازي ليند كار مي‌كرد، پديده تقويت سيگنالهاي الكتريكي را با سرد شدن اجسام كه درنتيجه كاهش مقاومت آنها بود، مشاهده و به ثبت رساند. سرانجام خاصيت ابررسانايي توسط پروفسور هلندي، كمرلينک اونز، در سال 1911 و زماني‌كه وي سرگرم آزمايش تئوري دئور بود، در دانشگاه ليدن مشاهده شد. اونز دريافت که اگر جيوه در هليم مايع يعني حدود 2/4 درجه كلوين قرار گيرد، مقاومت الکتريکي آن از بين مي‌رود. سپس يك حلقه سربي را در دماي 7 درجه كلوين ابررسانا نمود و قوانين فارادي را بر روي آن آزمايش كرد و مشاهده نمود وقتي با تغيير شار در حلقه جريان القايي توليد شود، حلقه سربي بر عكس رساناهاي ديگر رفتار مي‌نمايد. يعني بعد از قطع ميدان تا زماني‌كه در حالت ابر رسانايي قرار دارد، جريان الكتريكي را تا مدت زيادي حفظ مي‌كند. به عبارت ديگر بعد از به وجود آمدن جريان الكتريكي ناشي از ميدان مغناطيسي در يك سيم ابررسانا، سيم حتي بدون ميدان خارجي يا مولد الكتريكي نيز مي‌تواند حامل جريان باشد. اونز اين رخداد را در آزمايشگاه دانشگاه ليدن با ايجاد جريان ابررسانايي در يک سيم‌پيچ و سپس حمل سيم‌پيچ همراه با سرد کننده‌اي که آن را سرد نگه مي‌داشت به دانشگاه کمبريج به عموم نشان داد. يافته اونز منجر به اعطاي جايزه نوبل فيزيك در سال 1913 به وي شد.
اونز همچنين متوجه شد براي هر يك از مواد ابررسانا، دمايي به نام دماي بحراني وجود دارد كه وقتي ماده از اين دما سردتر شود، جسم ابررسانا مي‌گردد و در دماهاي بالاتر از اين دما، جسم داراي مقاومت الکتريکي است. دماي بحراني عناصر مختلف متفاوت است. مثلا" دماي بحراني جيوه حدود 5 درجه كلوين، سرب 9 درجه كلوين و نيوبيوم 2/9 درجه كلوين مي‌باشد و براي بعضي آلياژها و تركيبات مانند Nb3Sn و Nb3Ge دماي بحراني به 18 و 23 درجه كلوين نيز مي‌رسد. البته فلزات رسانايي مانند طلا، نقره و حتي مس نيز هستند كه تلاش براي رساندن مقاومت ويژه‌شان به صفر بي نتيجه مانده است و مشخص نيست اگر به صفر مطلق برسند مقاومت آنها چقدر خواهد بود. رسانيدن دماي ابررساناهاي متعارف به اين دما نيازمند وجود هليم مايع مي‌باشد كه بسيار پرهزينه، خطرناك و مشکل است. لذا از همان ابتدا تلاش براي توليد ابررساناهايي با دماي بحراني بالاتر شروع شد و محققان در تلاشند مواد ابررسانايي با دماي بحراني بالاتر پيدا كنند.
از كشف ابررسانايي در سال 1911 تاكنون، هيچ نظريه فيزيكي جامعي نتوانسته است به بيان دقيق علت خاصيت ابررسانايي بپردازد. در سال 1957 سه فيزيكدان آمريكايي به نام‌هاي باردين، كوپر و شريفر در دانشگاه ايلي‌نويز نظريه‌اي براي توجيه پديده ابررسانايي در ابررساناهاي متعارف ارائه دادند كه با نام آنها به نظريه BCS معروف گرديد. براساس اين نظريه در ابررساناهاي معمولي، الكترونهايي كه در رسانايي جريان نقش دارند، جفت‌هايي تشكيل مي‌دهند و متقابلاً با عواملي كه باعث مقاومت الكتريكي مي‌شوند، مقابله مي‌كنند. ابداع تئوري BCS نيز براي سه دانشمند آمريكايي جايزه توبل 1972 را به ارمغان آورد. اين‌كه 46 سال طول کشيد تا توجيهي براي پديده ابررسانايي يافت شود، دلايلي داشت. دليل اول اين‌كه جامعة فيزيک تا حدود بيست سال مباني علمي لازم براي ارائه راه حل مسئله را كه تئوري کوانتوم فلزات معمولي بود نداشت. دوم اين‌که تا سال1934 هيچ آزمايش اساسي در اين زمينه انجام نشد. سوم اينکه وقتي مباني علمي لازم بدست آمد، به زودي مشخص شد انرژي مشخصه وابسته به تشکيل ابررسانايي بسيار کوچک يعني حدود يک مليونيم انرژي الکتريکي مشخصة حالت عادي است. بنابراين نظريه پردازان توجه‌شان را به توسعة يک تفسير رويدادي از جريان ابررسانايي جلب کردند. اين مسير توسط فريتز لاندن رهبري مي‌شد. وي در سال 1953 به نکتة زير اشاره کرد:‌ "ابررسانايي پديده‌اي کوانتومي در مقياس ماکروسکوپي است و با جداسازي حالت حداقل انرژي از حالات تحريک شده بوسيلة وقفه هاي زماني رخ مي‌دهد." به علاوه وي بيان داشت كه ديامغناطيس شدن ابررساناها يک مشخصه بنيادي است. تئوري BCS در توضيح و تفسير رويدادهاي ابررسانايي موجود و هم چنين در پيشگويي رويدادهاي جديد نسبتاً موفق بود. در ژوئيه 1959، در اولين کنفرانس بزرگي كه بعد از ارائه ي نظريه ي BCS با موضوع با ابررسانايي در دانشگاه کمبريج برگزار شد، ديويد شوئنبرگ كنفرانس را با اين جمله آغاز کرد: «حالا بايد ببينيم تا چه حد مشاهدات با حقايق نظري جور در مي‌آيند …؟»
کمي بعد از انتشار نتايج اولية تئوري BCS ، در تابستان سال 1957 سه دانشمند دانماركي به نامهاي آگ بور، بن موتلسون و ديويد پاينز، در کپنهاگ نشان دادند که نوترونها و پروتونهاي موجود در هسته اتم به خاطر جذب دوسويه شان جفت مي‌شوند و بدينوسيله توانستند معماي قديمي پديدة هسته‌اي را توجيه نمايند. در همين زمان يوشيرو نامبو نيز در شيکاگو دريافت که ترتيب جفت شدن BCS براي پديده‌هاي انرژي بالا در فيزيک ذرات ابتدائي نيز صحت دارد. بايد گفت در اثر ارائه تئوري BCS بود كه پژوهشگران فلزات ابررساني جديدي را معرفي کردند و مشتاقانه به دنبال موادي گشتند که در دماهاي نسبتاً بالاتر از 20 کلوين ابررسانا مي‌شوند. بعد از ارائه تئوري BCS، دو آلياژ جديد نيز معرفي شدند. يكي مواد الکترون سنگين مانندCeCu2Si2، UPt3 و UBe13 که به عنوان ابررساناهايي در دماهاي حدود يک کلوين توسط فرانك استگليش در آلمان و زاچاري فيسك، جيم اسميت و هانس اوت در آمريكا شناخته شدند و ديگري فلزات آلي تقريبا دو بعدي با دماي بحراني حدود ده درجه کلوين كه در پاريس توسط دانيل ژرومه کشف شد. با وجود تلاش‌هاي زياد بند ماتيوس که حدود صد ماده ابررسانا را کشف کرد، هنوز حد بالايي براي دماي مواد ابررسانا وجود داشت. دمايي که از مکانيسم به کار رفته براي ابررسانايي يعني تعامل فونون القائي ناشي مي‌شد. چنانكه نور كوانتومي را فوتون مي‌نامند، اصوات كوانتومي را نيز فونون ناميده‌اند.
در سال 1962 جوزفسون انگليسي در 22 سالگي آزمايشاتي روي جفت الكترونهاي كوپر انجام داد كه منجر به مشاهده و اعلام پديده‌اي شد كه خاصيت تونل‌زني يا اثر جوزفسون نام گرفت. بر اساس اثر جوزفسون، درصورتيكه دو قطعه ابررسانا توسط يك عايق بسيار نازك (حدود يك نانومتر) به يكديگر متصل شوند، جفت الكترونهاي كوپر مي‌توانند از عايق عبور نمايند. مقدار جريان الكتريكي ايجاد شده به ولتاژ اتصال و ميدان مغناطيسي وابسته است. ارائه تئوري مزبور براي جوزفسون و دو دانشمند ديگر يعني لئو ايزاكي و ايوار گياور كه فعاليتهاي مشابهي در بررسي پديده تونل زني داشتند جايزه نوبل 1973 را به ارمغان آورد.
حدود 70 سال پيشرفتهاي انجام شده براي افزايش دماي بحراني به كندي انجام گرفت. از سال 1911 تا سال 1973 يعني حدود 62 سال دانشمندان تنها توانستند دماي بحراني را از 4 درجه به 3/23 درجه كلوين كه كمي بيشتر 3/20 كلوين يعني دماي ئيدروژن مايع است برسانند اما كار با ئيدروژن مايع نيز پرهزينه، مشكل‌آفرين و خطرساز بود و كاربردهاي ابررسانا را محدود مي‌ساخت. در سالهاي بعد علاوه بر فلزات و آلياژهاي فلزي، فعاليتهايي در زمينه تركيبات نيمه‌فلزي توسط برخي دانشمندان آغاز شد اما هنوز ماده‌اي ديگري به جز فلزات و آلياژها يافته نشده بود كه بتواند در دماهاي مورد انتظار ابررسانا باشد. سرانجام در 27 ژانويه سال 1986 جرج بدنورز و آلكس مولر در مؤسسه تحقيقاتي IBM شهر زوريخ سوئيس موفق به كشف پديدة ابررسانايي در سراميكي از نوع اكسيد مس و شامل لانتانوم و باريوم شدند. دماي بحراني نمونه ساخته شده، حدود 35 درجه كلوين بود و آنها نيز به خاطر كشف ابررساناهاي دمابالا (HTS) موفق به دريافت جايزة نوبل در سال 1987 شدند. طي مدت زمان كوتاهي پس از كشف ابررسانايي دما بالا، دسترسي به دماهاي بحراني بالاتر به سرعت توسعه يافت. يک ماه بعد از كشف بدنورز و مولر، تاناكا و همکاران وي در توکيو نتايج آنها را تأييد نمودند و نتايج فعاليت آنها در يکي از نشريات ژاپني به چاپ رسيد. اندكي بعد از كشف اكسيد مس حاوي باريوم و لانتانوم، در نتيجه همکاري پاول چو از دانشگاه هوستون و مانگ كنگ وو از دانشگاه آلاباما، عضو جديدي از خانواده مواد ابررساناهاي دما بالا با جايگزيني ايتريوم Y به جاي لانتانوم كشف شد. اين ماده سراميكي كه دماي بحراني آن به 92 درجه كلوين مي‌رسيد، به YBCO معروف شد. با توجه به نقطه جوش نيتروژن كه 77 درجه كلوين در فشار يك اتمسفر است، براي سرد شدن اين ابررسانا تا دماي بحراني استفاده از نيتروژن مايع هم امكانپذير بود كه بسيار ارزان‌تر و بي‌خطرتر از ئيدروژن و هليم مايع بود. بنابراين فقط در طي يک سال از کشف اصلي، دماي انتقال به حالت ابررسانايي افزايش سه برابر داشت و واضح بود که انقلاب ابررساناها شروع شده است. براي پاسداشت تحول مهمي كه در علم فيزيك واقع شده بود، توسط انجمن فيزيکدانان آمريکايي در بعدازظهر يکي از روزهاي مارس 1987 جشني هم در نيويورک برگزار شد. اين جشن 3000 شرکت کننده داشت و حدود 3000 نفر نيز اين جشن را از طريق تلويزيون مدار بسته در خارج از محل اصلي تماشا کردند. در طول شش سال بعد، چند خانواده ديگر از ابررساناها کشف شدند که شامل تركيبات شامل توليوم (Tl) و جيوه (Hg) بوده و داراي حداکثر دماي بحراني بيشتر از 120 درجه کلوين بودند. بالاترين مقدار تأييد شده دماي بحراني در فشار معمولي يك اتمسفر، 135 درجه كلوين و متعلق به HgBa2Ca2Cu3O8 مي‌باشد. به صورت تجربي معلوم شده است اگر ماده ابررسانا به صورت مكانيكي تحت فشار قرار گيرد، دماي بحراني ابررسانا كمي تغيير مي‌كند. در سال 1993، دماي بحراني 165 درجه كلوين (108- درجه سانتيگراد) نيز در تركيبي از اكسيد مس و جيوه و البته تحت فشارهاي خيلي بالا گزارش شد. همگي ابررساناهاي مورد اشاره يک ويژگي مشترك داشتند. وجود سطوح تراز شامل اتمهاي اكسيژن و مس که با مواد حامل بار براي سطوح تراز از يكديگر جدا مي‌شوند. با توجه به كاربردهاي مختلف ابررساناها، بسياري از تلاشها بر افزايش دماي عملكرد ابررساناها تا دستيابي به دماي اتاق متمركز شده است.
هر چند دماي بحراني تركيبات جديد سراميكي در حد قابل توجهي از دماي بحراني مواد ابررساناي متعارف (فلزات و آلياژها) بزرگتر است، به دليل خصوصيات فيزيكي اين مواد مانند شكنندگي و پايين بودن چگالي و جريان بحراني كاربردهاي اين مواد هنوز در مرحله‌ي تحقيق است. اخيراً سعيد سلطانيان به همراه يك گروه علمي به سرپرستي پروفسور شي زو دو در دانشگاه ولونگونگ استراليا ابررسانايي ساخته‌اند كه بالاترين ركورد را از نظر خواص مكانيكي در ميان ابررسانا دارد. اين ابررسانا به شكل سيم يا نواري از جنس دي بريد منيزيم (MgB2) با پوششي از آهن است و امكان انعطاف براي ساخت تجهيزات مختلف الكتريكي را داراست.
امروزه گروه هاى مختلفى از سرتاسر جهان به دنبال اين هستند كه بالاخره ماده اى را كشف كنند كه بتواند در دماى معمولى (۳۰۰ كلوين) هم از خود خاصيت ابررسانايى نشان دهد.همان طور كه از ظاهر امر برمى آيد، خاصيت ابررسانايى در سراميك ها و فلزات، سرشتى متفاوت دارند. سراميك ها، نارسانا هستند و سپس به ابررسانا تبديل مى شوند. در حالى كه فلزات رسانا هستند و ناگهان مقاومت در آنها صفر مى شود. دماى گذار به ابررسانايى هم در فلزات بسيار پايين تر از سراميك ها است. به اين ترتيب نظريه BCS ديگر قادر به توضيح ماهيت ابررسانايى در سراميك ها يا ابررسانا هاى دماى بالا (High TC) نيستند. دانشمندان تاكنون نظريه اى رضايت بخش براى توضيح اين پديده نيافته اند و اين مسئله يكى از مهم ترين مسائل حل نشده تاريخ فيزيك است.
ابررساناهاي جديد عموماً سراميكي و اكسيدهاي فلزي ورقه ورقه هستند که در دماي اتاق مواد نسبتاً بي‌ارزشي محسوب مي‌شوند و البته كاربردهاي متفاوتي نيز دارند. اكسيدهاي فلزي ابررسانا در مقايسه با فلزات شامل کمي حامل بار معمولي هستند و داري خواص انيسوتوروپيک الکتريکي و مغناطيسي مي‌باشند. اين خواص به نحو قابل ملاحظه‌اي حساس به محتواي اكسيژن مي‌باشند. نمونه‌هاي ابررساناي موادي مانند YBa2Cu3O7 را يک دانش‌آموز دبيرستاني نيز مي‌تواند در يک اجاق ميکروويو توليد کند اما براي تشخيص خواص فيزيکي ذاتي، کريستالهاي يکتايي با درجه خلوص بالا مورد نياز است كه فرآيند ساخت پيچيده‌اي دارند.
بعد از كشف ابررساناها، تا چند سال تصور مي‌شد رفتار مغناطيسي ابررسانا مانند رساناهاي كامل است. اما در سال 1933 مايسنر و اوشنفلد دريافتند اگر ماده مورد آزمايش قبل از ابررسانا شدن در ميدان مغناطيسي باشد، شار از آن عبور مي‌كند ولي وقتي در حضور ميدان به دماي بحراني برسد و ابررسانا گردد ديگر هيچ‌گونه شار مغناطيسي از آن عبور نخواهد كرد و تبديل به يك ديامغناطيس كامل مي‌شود كه شدت ميدان (B) درون آن صفر خواهد بود. آنها توزيع شار در خارج نمونه‌هاي قلع و سرب را كه در ميدان مغناطيسي تا زير دماي گذار سرد شده بودند را اندازه­گيري و مشاهده كردند كه ابررسانا ديامغناطيس كامل گرديد و تمام شار به بيرون رانده شد. اين آزمايش نشان داد كه ماده ابررسانا چيزي بيشتر از ماده رساناي كامل است. براساس ويژگي مهم ابررساناها، فلزات در حالت ابررسانايي هرگز اجازه نمي‌دهند كه چگالي شار مغناطيسي در درون آنها وجود داشته باشد. به عبارت ديگر در داخل ابررسانا هميشه B=0 است. اين پديده به اثر مايسنر معروف شد.
در اثر پديده مايسنر اگر يك آهنربا روي ماده ابررسانا قرار گيرد، روي آن شناور مي‌ماند. در شكل يك آهنرباي استوانه‌اي روي يك قطعه ابررسانا كه توسط نيتروژن خنك شده شناور است. علت شناور ماندن، اثر مايسنر است كه براساس آن خطوط ميدان مغناطيسي امكان عبور از ابررسانا را نيافته و چنانكه مشاهده مي‌شود، ابررسانا قرص مغناطيسي را شناور نگه مي‌دارد.


پس از کشف ديامغناطيس بودن ابررساناها، در سال 1950 آلياژهاي ابررسانايي مانند سرب+بيسموت و سرب+تيتانيوم كشف شدند که ميدانهاي بحراني خيلي بالايي از خود نشان مي‌دادند. پژوهشهاي بعدي نشان داد که اين مواد نوع متفاوتي از ابررساناها هستند که بعداً نوع II ناميده شدند. لاندن با استفاده از موازنه انرژي در محدوده کوچکي بين مرز فازهاي ابررسانا و نرمال، شرط تعادل فاز را به دست آورده و به حضور يک سطح انرژي ديگر با منشأ غيرمغناطيسي اشاره کرد كه علاوه بر انرژي مرز بين دو فاز ابررسانا و نرمال وجود داشت. وي متذکر شد که اگر سطح انرژي کل مثبت باشد ابررسانايي ازنوع اول و اگر منفي باشد از نوع دوم است که در اين صورت ميدان مغناطيسي به درون ابررسانا نفوذ مي‌کند. در سال 2003 نيز آلكسي آبريكوزوف و ويتالي گينزبورگ به خاطر بسط تئوري ابررسانايي همراه با آنتوني لگت برنده جايزه نوبل فيزيك شدند.
به تازگي هم پژوهشگران فرانسوي خاصيت جديدي را در ابررساناها پيدا كرده‌اند كه قبلاً در هيچ نظريه‌اي پيش‌بيني نشده بود. چنانكه اشاره شد خواص ابررسانايي در مواد، به دماي محيط، ميدان مغناطيسي و شدت جريان عبوري بستگي دارد. محققان فرانسوي بلوري ساخته‌ بودند كه در دماي 0.04 درجه كلوين ابررسانا مي‌شد و وقتي شدت ميدان مغناطيسي به بيشتر از 2 تسلا مي‌رسيد، اين خاصيت از بين مي‌رفت. يكي از پژوهشگران اين گروه، از روي كنجكاوي، شدت ميدان مغناطيسي را باز هم بيشتر كرد. وقتي شدت ميدان به 12 تسلا رسيد، بلور دوباره ابررسانا شد. وقتي ميدان باز هم بالاتر رفت، اين خاصيت دوباره از بين رفت. اين گزارش كه اخيراً در نشريه علمي ساينس به چاپ رسيده، توجه بسياري از فيزيكدانان حالت جامد را برانگيخته است چرا كه هيچ توضيح خاصي براي اين پديده وجود ندارد. با توجه به موارد گفته شده، به نظر مي‌رسد كه ميدان مغناطيسي متغير باعث ايجاد رفتارهاي جالب پيش‌بيني نشده در ابررساناها مي‌شود. البته بايد توجه داشت كه ابررسانايي يك خاصيت كاملاً كوانتمي است و به سادگي نمي‌توان وضعيت پيش آمده در اين آزمايش را توصيف كرد.

مهمترين خواص ابررساناها
درمورد مهمترين خواص ابررساناها مي‌توان به موارد ذيل اشاره داشت.

1. مقاومت ناچيز در مقابل عبور جريان مستقيم و توانايي عبور چگالي جريان بالا: امروزه صرفه‌جويي در مصرف انرژي، يكي از مهم‌ترين نيازهاي كشورهاي صنعتي است. بودجه‌هاي زيادي صرف تحقيقات در زمينه كشف راه‌هاي تازه و موثرتر براي يافتن انرژي‌هاي ارزان‌ و با ريسك كمتر مي‌شود. برپاية اين پديده، بارهاي الكتريكي مي‌توانند بدون تلفات گرمايي از يك رسانا عبور كنند. بنابراين ابررسانايي با نقشي كه مي‌تواند در زمينه صرفه جويي در توليد و انتقال انرژي الكتريكي بازي كند، در آينده بشر نقشي اساسي خواهد داشت و به همين دليل در سالهاي اخير بيش از ده هزار پژوهشگر با صرف هزينه‌هاي زياد، تحقيقات خود را روي موضوع ابررسانايي و كاربردهاي آن در علوم مختلف متمركز ساخته‌اند. با توجه به مقاومت تقريباٌ صفر، ابررساناها درشبکه‌هاي توزيع و انتقال و همچنين ماشينهاي الکتريکي قابل استفاده هستند. اين خاصيت باعث مي‌شود که اگر جرياني در يک ابررسانا ايجاد شود، بدون کاهش قابل توجهي براي مدت طولاني برقرار بماند. همينطور شدت جريان عبوري از ابررسانا نيز به علت فقدان افت اهمي بسيار بالاست. براي مثال آلياژ نيوبيوم و تيتانيوم که در درجه حرارت 4/4 كلوين به حالت ابررسانايي مي‌رسد قادر به عبور جريان 2000 آمپر بر ميليمتر مربع در شدت ميدان 5 تسلا است. اين چگالي صد بار بيشتر از چگالي جريان در سيمهاي مسي معمولي است. البته در صورت افزايش چگالي جريان از حد معيني، ابررسانا در وضعيت مقاومتي قرار مي‌گيرد و خصوصيت ابررسانايي را از دست خواهد داد. جريان يا چگالي جرياني که ابررسانا مي‌تواند از خود عبور دهد و خاصيت ابررسانايي را از دست ندهد به جريان بحراني يا چگالي جريان بحراني معروف است.



2. توانايي در توليد ميدانهاي مغناطيسي قوي: پديدة ابررسانايي در فن‌آوري‌هاي جديد از توانايي‌هاي گسترده‌اي برخوردار است. خواص ابررسانايي در مواد، علاوه بر دماي محيط و شدت جريان عبوري، به ميدان مغناطيسي هم بستگي دارد. يعني حتي اگر جسم در دمايي پايين‌تر از حد ابررسانايي باشد، وقتي ميدان مغناطيسي از ميزان مشخصي بيشتر باشد، خاصيت ابررسانايي از بين خواهد رفت. از اين ميدان‌ها مي‌توان در قطارهاي مغناطيسي استفاده کرد. شدت اين ميدانها براي آلياژ نيوبيوم و تيتانيوم (NbTi) به حدود 10 تسلا نيز مي‌رسد. شدت ميدان مغناطيسي در جهت از بين بردن خاصيت ابررسانايي عمل مي‌کند. ميدان بحراني به شدت ميداني اشاره دارد که ابررسانا خاصيت خود را در آن شدت ميدان از دست مي‌دهد. براي توضيح خصوصيات مغناطيسي ابررسانا، فرض كنيد كه در غياب هر گونه مغناطيسي ابتدا مقاومت ابررسانا با سرد شدن از بين برود و سپس ميدان مغناطيسي به آن اعمال شود. به دليل آنكه چگالي شار نمي‌تواند در داخل فلز تغيير كند، بايد حتي بعد از اعمال ميدان مغناطيسي نيز صفر باقي بماند. در واقع اعمال ميدان مغناطيسي، جريانهاي بدون مقاومتي را القا مي‌كند كه در سطح نمونه طوري گردش مي‌كنند كه چگالي شار مغناطيسي آنها در داخل نمونه دقيقاً برابر و در جهت مخالف چگالي شار ميدان مغناطيسي اعمال شده باشد و از آنجايي كه اين جريانها از بين نمي‌روند، چگالي شار خالص در داخل نمونه صفر باقي مي‌ماند.
سالهاي بسياري تصور مي‌شد كه تمام ابررساناها بر اساس اصول فيزيكي مشابهي رفتار مي‌كنند. اما اكنون ثابت شده ابررساناها با توجه به رفتار فيزيكي، به دو گروه مختلف كه به ابررساناهاي نوع I وII معروفند بايد دسته‌بندي شوند. بيشتر عناصر در شرايط ابررسانايي، رفتار ابررسانايي از نوع I را از خود نشان مي‌دهند اما تعداد كمي از عناصر و بيشتر آلياژها عموماً رفتار ابررسانايي از نوع II را بروز مي‌دهند.


توجيه اختلاف بين ابررساناهاي نوع Iو II مبتني بر مسافت آزاد ميانگين الکترونهاي هدايتي در فاز نرمال است. مقاومت الکتروني در مواد ابررساناي نوع I يعني آلياژها و فلزات واسط در حالت عادي کوتاه است اما با افزودن مقداري از يک عنصر خاص، مسافت آزاد ميانگين الکترونهاي هدايتي افزايش يافته و ابررساناي نوع اول به ابررساناي نوع دوم تبديل مي‌شود. از نظر مغناطيسي، ابررساناهاي نوع اول داراي دو محدوده و ابررساناهاي نوع دوم داراي سه ناحيه براي فعاليت هستند.




3. خاصيت تونل‌زني: اين مشخصه به اين معني است که اگر دو ابررسانا را خيلي به هم نزديک کنيم، مقداري از جريان يکي به ديگري نشت مي‌کند. در دو سر اين پيوندگاه يا تونل هيچ ولتاژي وجود ندارد. يعني ميزان جريان نشتي به ولتاژ بستگي ندارد ولي به ميدان مغناطيسي و تابش مغناطيسي حتي در مقادير خيلي کوچک بشدت وابسته است.

• اندازه گيرى مقاومت ابررسانا
اونس براى اندازه گيرى مقاومت ابررسانا آزمايشى را به اين صورت طرح كرد كه ابتدا جريانى را در دو سر يك پيچه برقرار كرد و سپس آن را داخل يك ظرف هليم مايع فرو برد تا به حالت ابررسانايى درآيد. سپس دو سر پيچه را به هم وصل كرد تا اتصال كوتاه شود. سپس با قرار دادن يك قطب نما، هرگونه افت در ميعان مغناطيسى توليد شده توسط جريان در پيچه را اندازه گرفت. چنين آزمايشى، چندين سال بعد در MIT (موسسه فناورى ماساچوست) در ابعاد بسيار بزرگ انجام شد و پس از مدت دو سال هيچ گونه افت جريانى مشاهده نشد. اما سرانجام اعتصاب صنفى كارگران بخش حمل و نقل در ايالت ماساچوست باعث شد كه هليم مايع به موقع به آزمايشگاه نرسد و آزمايش متوقف شود.

• كشفى نااميد كننده
كشف خاصيت ابررسانايى در نخستين مراحل، دانشمندان را مصمم به ساخت منبع لايزالى براى توليد انرژى كرد؛ يعنى ساخت سيم پيچ هايى عظيم از ابررسانا براى صرفه جويى در مصرف برق. اما اين بار هم اونس بود كه نشان داد زياد شدن ميدان مغناطيسى باعث از بين رفتن خاصيت ابررسانايى مى شود.در واقع هم دما و هم ميدان مغناطيسى و هم شدت جريان الكتريكى عبورى در ايجاد خاصيت ابررسانايى در فلزات موثر است. اگر ميدان مغناطيسى در محيط ايجاد شود، دماى ابررسانى پايين تر مى رود.

• تكنولوژى ابررسانا ها
در ارتباط با ابررسانا هاى جديد در دماى بالا تاكنون هيچ كاربرد تجارى در گستره دمايى كه فعلاً كشف شده (زير ۲۰۰ كلوين) به طور كامل به منصه ظهور نرسيده است. حتى در آزمايش هاى فضايى كه در دمايى پايين تر از دماى گذار به ابررسانايى در اين مواد انجام مى شود، پژوهشگران ترجيح مى دهند از همان ابررسانا هاى قبلى و در محيط هليم مايع استفاده كنند تا به تمام جنبه هاى مسئله مسلط باشند. فورى ترين كاربرد براى ابررسانا هاى دماى بالا ساخت تراشه هاى فوق سريع است كه انقلابى عظيم را در فناورى اطلاعات ايجاد خواهد كرد كه با اختراع ترانزيستور ها قابل قياس است. يكى از كاربرد هاى ابررسانا ها با توجه به حساسيت آنها به ميدان مغناطيسى اكتشافات معدنى، زمين شناختى و حتى رديابى زيردريايى ها است. ساخت قطار هايى كه با استفاده از خاصيت ابررسانايى ميدان مغناطيسى توليد مى كنند كه آنها را بالاتر از سطح زمين و بدون هيچ گونه اصطكاك با ريل كه موجب تلف كردن مقدار زيادى از انرژى مى شود، قطار را به حركت درمى آورد، يكى از شناخته شده و معروف ترين كاربرد هاى ابررسانايى است. اين قطار ها قادرند مسافت بيش از ۵۰۰ كيلومتر را در كمتر از يك ساعت بپيمايند. به كار بردن ابررسانا ها در خطوط انتقال نيرو حتى با احتساب كليه هزينه هاى سرد نگه داشتن ابررسانا رقمى معادل ۷۰ تا ۸۰ درصد صرفه جويى در مصرف برق را نشان مى دهد كه بسيار عظيم است.به كار بردن ابررسانا ها در وسايل تحقيقاتى (مثل شتاب دهنده ها) و وسايل پزشكى (مثل دستگاه MRI) از كاربرد هاى عادى ابررسانا ها شده است.به كار بردن ابررسانا هاى سراميكى مزيت ديگرى هم دارند و آن اين كه براى سرد كردن آنها (با توجه به دماى بالاتر نسبت به ابررسانا هاى فلزى) به جاى هليم مايع مى توان از نيتروژن مايع استفاده كرد كه بسيار ارزان تر و فراوان تر است. يكى از مهم ترين مسائل فنى، تبديل ابررساناى سراميكى به هليم است كه بايد حل شود و تا آن زمان چاره اى جز صبر نداريم.


منبع : شرق آنلاین
__________________










پاسخ با نقل قول
2 کاربر زیر بخاطر پست مفید از Alireza_Mahan23 سپاسگزاری کرده اند :

دزدگیر اجناس
  #3  
قدیمی 09/09/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
دزدگیر اجناس

حتما تا به حال این اتفاق برای شما افتاده که وارد یه فروشگاهی از جمله فروشگا های عرضه پوشاک بشوید و متوجه بشوید بر روی هرکدام از اجناس مغازه یه دکمه مشکی رنگ که اندازه آن نسبتا هم بزرگ هست نصب شده است.
در ابتداممکن است که فکر کنید این یه مد جدید هست و یا مثل بعضی دیگر بی توجه از کنارآن بگذرید و یا مثل بعضی دیگر تا از ماهیت آن با خبر نشوید دست بردار نباشیدحال اگر شما بی توجه از کنار آن عبور کردید و یا این که خواستید از ماهیت ان باخبر شوید ولی موفق نشدید به مطالب زیر با دقت توجه کنید.
این دکمه های مشکی دزد گیر هستند به این صورت که این دکمه ها را به اجناس وصل می کنند و در خروجی فروشگاه یک انتن مخصوص قرار می دهند .

متصل کردن این دکمه ها به اجناس خیلی راحت است،این دکمه ها از ۲ قسمت تشکیل شده است یک قسمت از آن متصل به سوزن است و قسمت دیگر ان را مادگی سوزن تشکیل می دهد و زمانی که سوزن داخل مادگی قرار گرفته با دست به راحتی نمی توان آن را از مادگی بیرون اورد حتی با کمک پیچ گوشتی و …
در عکس زیر نمونه ای از این دزدگیر مشاهده می کنید.
اما سوزن این دزدگیر داخل مادگی قرار نگرفته است .همانطور که میبینید سوزن به قسمت بالایی متصل است و مادگی سوزن در قسمت پایینی دزدگیر قرار دارد که اگر سوزن را داخل مادگی کنید دزدگیر قفل شده و دیگر ازاد نمی شود
حال اگر مشتری جنس مورد نظرش را انتخاب کرد ،باید دزدگیر ازاد شود که برای این کار از یک آهنربا بسیار بسیار قوی استفاده کرد که از حالا خیالتان را راحت کنم که این اهنربا در بازار وجود ندارد و فقط شرکت مربوطه ان را دارد و قیمت ان هم در حدود ۱۵۰ هزار تومان می باشد و هیچ وقت این شرکت ها اهنربا را به صورت تک نمی فروشند در عکس زیر این اهنربا را می بینید.
حال برای جدا کردن دزدگیر به این صورت عمل می کنند که اهنربا را در پشت قسمتی که مادگی سوزن قرار دارد می چسبانند و این اهنربا انقدر قدرت دارد که ضامن را به راحتی آزاد می کند و به راحتی سوزن از مادگی جدا می شود.
حال این دزدگیر را جنس مورد نظر جدا شده و مشتری می تواند ان را بدون هیچ گونه مشکل بیرون ببرد
در صورتی که این دزدگیر جدا نشود و کسی ان را بخواهد از مغازه بیرون ببرد زمانی که به انتن مخصوص که نزدیک درب خروج قرار دارد نزدیک شود دستگاه شروع به اژیر زدن می کند که صاحب مغازه متوجه می شود جنسی بدون اجازه می خواهد از مغازه خارج شود که سریع باید اقدام کند.
الان برای اکثر خوانندگان سوال پیش می اید که این دزدگیر از چه چیز هایی تشکیل شده و اکثرا هم فکر می کنند یک مدار پیشرفته در داخل این دزدگیر قرار دارد ولی باید بگویم مدار داخلی ان خیلی پیچیده نیست و اگر شما رشته الکترونیک باشید و سال سوم را هم پشت سر گذاشته باشید به راحتی می توانید از ماهیت داخلی ان با خبر شوید.
دستگاه داخلی این دکمه ها از یک ********** تشکیل شده است که همان طور که می دانید ما چند نوع ********** داریم.
پایین گذر ، بالا گذر ، میان گذر و میان نگذر
در مورد این نوع ********** ها باید بگم که ********** پایین گذر فرکانس های پایین راز خود عبور می دهد و ********** بالا گذر فرکانس های بالا و ********** میان گذر فرکانس های میانی را عبور می دهد و میان نگذر بالعکساگر شما به اسلوسکوپ دسترسی داشته باشید و فرکانس های عبوری از یک ********** را بر روی کاغذ لگاریتمی رسم نمائید متوجه نوع ********** می شوید.
نحوه عملکرد دستگاه بدین صورت می باشد که در مکان ورودی به فروشگاه به اصطلاح یک گارد نصب می کنند و این گارد یه میدان مغناطیسی به وجود می آورد حال اگر درصورت فراموش کردن فروشنده مغازه دکمه مذکور از اجناس جدا نشود و شما از گارد عبور کنید گارد شروع به آزیر کشیدن می کند وان هم به این دلیل است که ********** تعبیه شده در دکمه میدان مغناطیسی گارد را مختل می کند و باعث آزیر کشیدن گارد می شود اما همین مسئله ساده باعث شده تا این دستگاه ها با نام این که از آمریکا وارد می شوند با قیمت بالای ۲ میلیون تومان به فروش برسد .
پاسخ با نقل قول
2 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

نام گذاری یا کد گذاری ترانزیستورها
  #4  
قدیمی 28/10/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
نام گذاری یا کد گذاری ترانزیستورها

نام گذاري - كد گذاري ترانزيستورها

در اين مقاله 3 روش استاندارد وعمده كد گذاري ترانزيستورها شرح داده مي شود البته اين روش ها براي كد گذاري قطعات نيمه هادي ديگر مانند ديود ها ، ترياك ها و... نيز به كار مي روند.
(Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC
نام گذاري ژاپني (Japanese Industrial Standard (JIS
Pro-electron

1- (Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC :
فرم يا مد اصلي كد گذاري در اين روش به صورت زير است ( از چپ به راست بخوانيد):
( پسوند ) ، شماره سريال ، حرف ، عدد
[digit, letter, serial number, [suffix
قسمت عدد: در اين قسمت هميشه عددي كه يكي كمتر از تعداد پايه هاي ترانزيستور است قرار مي گيرد. يعني براي ترانزيستورهاي 3 پايه عدد 2 و اگر ترانزيستور 4 پايه اي وجود داشته باشد عدد 3. توجه داشته باشيد كه اعداد 4 و 5 به اپتوكوپلرها مربوط مي شوند نه به ترانزيستورها. بنابراين شايد بتوان گفت كه براي ترانزيستورها هميشه در اين قسمت عدد 2 قرار مي گيرد.
قسمت حرف: در اين قسمت هميشه حرف "N" قرار مي گيرد.
قسمت شماره سريال: در اين قسمت اعدادي از 100 تا 9999 قرار ميگيرد و هيچ اطلاعاتي بجز زمان تقريبي ابداع و معرفي ترانزيستور را به ما نمي دهد. مثلا ترانزيستوري كه سريال نامبرش 904 باشد زودتر از ترانزيستوري كه سريال نامبرش 2221 است ، ساخته شده است.
قسمت پسوند: اين قسمت اختياري است و محدوده بهره ( بتا hfe ) ي ترانزيستور را مشخص مي سازد. به اين صورت كه حرف A براي ترانزيستورهاي با بهره كم ، حرف B براي ترانزيستورهاي با بهره متوسط ، حرف C براي ترانزيستورهاي با بهره بالا و اگر دراين قسمت هيچ حرفي نباشد ترانزيستور مي تواند هر يك از بهره هاي فوق را داشته ياشد.
مثال: 2N3819, 2N2221A, 2N904
2 - نام گذاري ژاپني (Japanese Industrial Standard (JIS :
فرم يا مد اصلي كد گذاري در اين روش به صورت زير است ( از چپ به راست بخوانيد):
( پسوند) ، شماره سريال ، دو حرف ، عدد
digit, two letters, serial number, [suffix]
قسمت عدد: در اينجا نيز عددي كه يكي كمتر از تعداد پايه ها است قرار مي گيرد. كه عموما عدد 2 است.
قسمت دوحرفي: اين دو حرف محدوده كاربرد و نوع قطعه را به صورت كدهاي زير مشخص مي سازند:
SA: PNP HF transistor
SB: PNP AF transistor
SC: NPN HF transistor
SD: NPN AF transistor
SE: Diodes
SF: Thyristors
SG: Gunn devices
SH: UJT
SJ: P-channel FET/MOSFET
SK: N-channel FET/MOSFET
SM: Triac
SQ: LED
SR: Rectifier
SS: Signal diodes
ST: Avalanche diodes
SV: Varicaps
SZ: Zener diodes
قسمت شماره سريال: اين قسمت نيز همانند روش قبل مي باشد و از عدد 10 شروع مي شود تا 9999 .
قسمت پسوند: اين قسمت اختياري است و هيچ گونه اطلاعاتي از قطعه به ما نمي دهد.
در اين روش به اين دليل كه كد ترانزيستورها با 2S شروع مي شود در بعضي موارد ممكن است كه اين دو حذف شوند مثلا به جاي اينكه روي ترانزيستور نوشته شده باشد 2SC733 ، بطور خلاصه نوشته مي شود C 733.
مثال: 2SA1187, 2SB646, 2SC733
3 - Pro-electron:
فرم يا مد اصلي كد گذاري در اين روش به صورت زير است ( از چپ به راست بخوانيد):
( پسوند ) ، شماره سريال ، (يك حرف) ، دو حرف
two letters, [letter], serial number, [suffix]
قسمت دو حرفي: اولين حرف نوع عنصر و ماده اي كه ترانزيستور از آن ساخته شده است را مشخص مي سازد:
A = Ge (ژرمانيوم)
B = Si (سيليكون)
C = GaAs (گاليم آرسنيك)
R = compound materials (عناصر مركب)
با توجه به اين حروف كاملا واضح است كه كد اكثر ترانزيستورها و قطعات نيمه هادي ديگردر اين روش با حرف B شروع مي شود.
دومين حرف كاربرد قطعه را نشان مي دهد:

C: transistor, AF, small signal
D: transistor, AF, power
F: transistor, HF, small signal
L: transistor, HF, power
U: transistor, power, switching
A: Diode RF
Y: Rectifier
E: Tunnel diode
Z: Zener, or voltage regulator diode
B: Variac
K: Hall effect device
N: Optocoupler
P: Radiation sensitive device
Q: Radiation producing device
R: Thyristor, Low power
T: Thyristor, Power
قسمت حرف اختياري: اين حرف كاربرد صنعتي يا حرفه اي تا تجاري قطعه را مشخص مي سازد و يكي از حروف W,X,Y,Z مي باشد.
قسمت شماره سريال: سريال نامبر از عدد 100 شروع مي شود تا 9999.
قسمت پسوند: اين قسمت درست مانند قسمت پسوند روش اول يعني JEDEC مي باشد.
مثال: BC108A, BAW68, BF239, BFY51 , BC548

--------------------------------------------------------------------------------
كارخانه هاي سازنده ترانزيستور و ديگر قطعات نيمه هادي به دلايل تجاري به ابتداي سه روش مذكور يك پيشوند اضافه مي كنند كه معرف كارخانه سازنده ؛ نوع بسته بندي و كاربرد قطعه است. معمول ترين اين پيشوندها عبارتند از:
MJ: Motorolla power, metal case
MJE: Motorolla power, plastic case
MPS: Motorolla low power, plastic case
MRF: Motorolla HF, VHF and microwave transistor
RCA: RCA
RCS: RCS
TIP: Texas Instruments power transistor (platic case)
TIPL: TI planar power transistor
TIS: TI small signal transistor (plastic case)
ZT: Ferranti
ZTX: Ferranti
مانند : ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43
(فقط كاربران عضو مجاز به دیدن لینک ها هستند)
(فقط كاربران عضو مجاز به دیدن لینک ها هستند)
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
3 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

آموزش کار با mmc از طریق fat -شماره ۱
  #5  
قدیمی 29/10/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
آموزش کار با mmc از طریق fat -شماره ۱

امروزه یکی از دغدغه های اصلی افرادی که با AVR کار می کنند ارتباط با کارت های MMC از طریق FAT می باشد
شما از طریق برنامه نویسی Fat می توانید به وسیله میکرو با کارت mmc یا Sd ارتباط برقرار کنید و در کارت کارهای زیر را انجام دهید.
  1. پوشه بسازید
  2. فایل تکست بسازید.
  3. اطلاعات فایل تکست را بخوانید.
  4. در فایل تکست اطلاعات وارد کنید.
  5. موسیقی موجود در کارت را بخوانید و پخش کنید.
  6. عکس موجود در کارت را بخوانید و نمایش دهید.
  7. حجم کل کارت و مقدار استفاده شده و باقی مانده کارت را دریافت کنید.
  8. اطلاعات با حجم زیاد را در کارت ذخیره کنید و ان را دوباره از کارت بخوانید.
  9. اطلاعات فایل از جمله زمان ساخت ، حجم فایل و تاریخ ساخت فایل را دریافت کنید.
  10. نام فایل موجود در کارت را تغییر دهید.
  11. پسوند فایل را تغییر دهید.
  12. فایل موجود در کارت را پاک کنید.
  13. پوشه موجود در کارت را پاک کنید.
  14. می توانید در کارت عمل سرچ را انجام دهید و فایل مورد نظر را پیدا کنید.
  15. می توانید مشخصات فایل مثلا Archiv,Directory, Volume ID, System, Hidden, Read Only را دریافت کنید.
  16. و امکانات دیگر
زمانی که توانستید کارهای بالا را انجام دهید می توانید دستگاه های زیادی مثل Mp3 player یا یک مینی ویروس کش بسازید.
در این پست اولین آموزش ارتباط میکرو و کارت حافظه خارجی را قرار دادیم که در این پروژه از ال سی دی گرافیکی و ای سی Atmega 128 وکارت SD البته از نوع MICRO SD با ظرفیت ۱G استفاده کرده ام.
دوستان توجه کنند که حتما از ای سی Atmega 128 استفاده کنند چون بعضی از توابع به رجیسترهایی نیاز دارد که در ای سی Atmega128 وجو دارد.
زبان برنامه نویسی بیسیک می باشد.
برای پیش مقدمه از ارتباط میکرو با کارت MMC دوستان می توانند سه فایل آموزشی را که توسط اقا امین با نام کاربری Aminchiz تهیه شده است دانلود کنندکه در این جا از ایشان به دلیل تهیه این اموزش ها کمال تشکر را داریم.
جهت دانلود فایل آموزش 1 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.


جهت دانلود فایل آموزش 2 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.


جهت دانلود فایل آموزش 3 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.


نکته:» ابتدا فایل زیر را دانلود کنید و در مسیری که برنامه را نصب کرده اید ان را قرار دهید مثلا در ادرس زیر
C:\Program Files\MCS Electronics\BASCOM-AVR
این فایل برای معرفی ای سی در برنامه می باشد که در حالت عادی شما در برنامه M128def.dat وارد می کنید اما برای این اموزش باید MM128def.dat را وارد کنید چون در این فایل جدید تغییر کوچکی وارد شده که باعث می شود در برنامه های حجیم میکرو بتواند به راحتی با کارت ارتباط برقرار کند.
جهت دانلود فایل MM128def.dat بر روی عکس زیر کلیک نمائید.


مواردی که در این برنامه صورت می گیرد.
  1. چک کردن درایور کارت (جدید)
  2. چک کردن بودن کارت در داخل سوکت (جدید)
  3. چک کردن سالم بودن فایل های داخل کارت (جدید)
دوستان اگر فایل های اموزشی بالا را دانلود کنند می توانند نحوه کار هر دستور را ببینند.
برای دانلود برنامه فایل زیر را دانلود کنید و سپس پوشه دانلود شده را باز کنید و فایلی که نام ان ۱ می باشد را توسط نرم افزار بسکام باز کنید و بر روی میکرو پروگرام نمایید و نکته مهم این است که حتما از کریستال ۱۱٫۰۵۹۲ مگاهرتز استفاده نمایید و در فیوز بیت ، میکرو را بر روی کریستال خارجی تنظیم نمایید تا مشکلی پیش نیاید.
جهت دانلود فایل برنامه اموزشی 1 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.


برای دانلود نقشه می توانید به لینک زیر مراجعه کنید که نقشه شماتیک در قالب فایل Pdf می باشد.
جهت دانلود فایل شماتیک مدار بر روی عکس زیر کلیک نمائید.



دوستان برای اشنایی با دستورات مورد استفاده شده در برنامه نویسی FAT به لینک زیر مراجعه نمایید.
(فقط كاربران عضو مجاز به دیدن لینک ها هستند)
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
3 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

آموزش کار با mmc از طریق fat -شماره ۲
  #6  
قدیمی 29/10/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
آموزش کار با mmc از طریق fat -شماره ۲

در این پست دومین آموزش ارتباط میکرو و کارت حافظه خارجی را قرار دادیم که در این پروژه از ال سی دی گرافیکی و ای سی Atmega 128 وکارت SD البته از نوع MICRO SD با ظرفیت ۱G استفاده کرده ام.
دوستان توجه کنند که حتما از ای سی Atmega 128 استفاده کنند چون بعضی از توابع به رجیسترهایی نیاز دارد که در ای سی Atmega128 وجو دارد.
زبان برنامه نویسی بیسیک می باشد.
  1. چک کردن درایور کارت
  2. چک کردن بودن کارت در داخل سوکت
  3. چک کردن سالم بودن فایل های داخل کارت
  4. نشان دادن فضای کل کارت و مقدار استفاده شده و مقدار فضای باقی مانده کارت (جدید)
برای دانلود برنامه فایل زیر را دانلود کنید و سپس پوشه دانلود شده را باز کنید و فایلی که نام ان ۲ می باشد را توسط نرم افزار بسکام باز کنید و بر روی میکرو پروگرام نمایید و نکته مهم این است که حتما از کریستال ۱۱٫۵۹۲ مگاهرتز استفاده نمایید و در فیوز بیت ، میکرو را بر روی کریستال خارجی تنظیم نمایید تا مشکلی پیش نیاید.
جهت دانلود فایل آموزش شماره 2 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
3 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

آموزش کار با mmc از طریق fat _ شماره ۳
  #7  
قدیمی 29/10/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
آموزش کار با mmc از طریق fat _ شماره ۳

در این پست سومین آموزش ارتباط میکرو و کارت حافظه خارجی را قرار دادیم که در این پروژه از ال سی دی گرافیکی و ای سی Atmega 128 وکارت SD البته از نوع MICRO SD با ظرفیت ۱G استفاده کرده ام.
دوستان توجه کنند که حتما از ای سی Atmega 128 استفاده کنند چون بعضی از توابع به رجیسترهایی نیاز دارد که در ای سی Atmega128 وجود دارد.
زبان برنامه نویسی بیسیک می باشد.
کارهایی که در این برنامه صورت می گیرد.
  1. چک کردن درایور کارت
  2. چک کردن بودن کارت در داخل سوکت
  3. چک کردن سالم بودن فایل های داخل کارت
  4. نشان دادن فضای کل کارت و مقدار استفاده شده و مقدار فضای باقی مانده کارت
  5. نشان دادن اسم کلیه فایل ها و پوشه ها که در روت اصلی قرار دارد. ( جدید)
  6. تشخیص نوع فایل ، تشخیص تکست ، عکس و … ( جدید )
  7. نشان دادن حجم فایل و تاریخ ساخت و ساعت ساخت فایل ( جدید )
برای دانلود برنامه فایل زیر را دانلود کنید و سپس پوشه دانلود شده را باز کنید و فایلی که نام ان ۳ می باشد را توسط نرم افزار بسکام باز کنید و بر روی میکرو پروگرام نمایید و نکته مهم این است که حتما از کریستال ۱۱٫۰۵۹۲ مگاهرتز استفاده نمایید و در فیوز بیت ، میکرو را بر روی کریستال خارجی تنظیم نمایید تا مشکلی پیش نیاید.


جهت دانلود فایل آموزش شماره 3 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
3 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

آموزش کار با mmc از طریق fat _ شماره ۴
  #8  
قدیمی 29/10/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
آموزش کار با mmc از طریق fat _ شماره ۴

در این پست چهارمین آموزش ارتباط میکرو و کارت حافظه خارجی را قرار دادیم که در این پروژه از ال سی دی گرافیکی و ای سی Atmega 128 وکارت SD البته از نوع MICRO SD با ظرفیت ۱G استفاده کرده ام.
دوستان توجه کنند که حتما از ای سی Atmega 128 استفاده کنند چون بعضی از توابع به رجیسترهایی نیاز دارد که در ای سی Atmega128 وجود دارد.
زبان برنامه نویسی بیسیک می باشد.
کارهایی که در این برنامه صورت می گیرد
  1. چک کردن درایور کارت
  2. چک کردن قرار گرفتن کارت در سوکت
  3. چک کردن درست بودن فایل های موجود در کارت
  4. نشان دادن ظرفیت کل کارت و مقدار فضای خالی و مقدار فضای استفاده شده
  5. ساخت یک فایل با پسوند TXT و نوشتن ۱۱ خط در داخل این فایل ( جدید)
برای دانلود برنامه فایل زیر را دانلود کنید و سپس پوشه دانلود شده را باز کنید و فایلی که نام ان ۴ می باشد را توسط نرم افزار بسکام باز کنید و بر روی میکرو پروگرام نمایید و نکته مهم این است که حتما از کریستال ۱۱٫۰۵۹۲ مگاهرتز استفاده نمایید و در فیوز بیت ، میکرو را بر روی کریستال خارجی تنظیم نمایید تا مشکلی پیش نیاید.
جهت دانلود فایل فایل آموزشی شماره 4 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
3 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

آموزش کار با mmc از طریق fat _ شماره ۵
  #9  
قدیمی 29/10/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
آموزش کار با mmc از طریق fat _ شماره ۵

در این پست پنجمین آموزش ارتباط میکرو و کارت حافظه خارجی را قرار دادیم که در این پروژه از ال سی دی گرافیکی و ای سی Atmega 128 وکارت SD البته از نوع MICRO SD با ظرفیت ۱G استفاده کرده ام.
دوستان توجه کنند که حتما از ای سی Atmega 128 استفاده کنند چون بعضی از توابع به رجیسترهایی نیاز دارد که در ای سی Atmega128 وجود دارد.
زبان برنامه نویسی بیسیک می باشد.
کارهایی که در این برنامه صورت می گیرد
  1. چک کردن درایور کارت
  2. چک کردن قرار گرفتن کارت در سوکت
  3. چک کردن درست بودن فایل های موجود در کارت
  4. نشان دادن ظرفیت کل کارت و مقدار فضای خالی و مقدار فضای استفاده شده
  5. ساخت یک فایل با پسوند TXT و نوشتن ۳۱ خط در داخل این فایل
  6. خواندن خط به خط یک فایل متنی با پسوند TXT که توسط خود میکرو ایجاد شده و نمایش هر خط بر روی ال سی دی (جدید)
برای دانلود برنامه فایل زیر را دانلود کنید و سپس پوشه دانلود شده را باز کنید و فایلی که نام ان ۵ می باشد را توسط نرم افزار بسکام باز کنید و بر روی میکرو پروگرام نمایید و نکته مهم این است که حتما از کریستال ۱۱٫۰۵۹۲ مگاهرتز استفاده نمایید و در فیوز بیت ، میکرو را بر روی کریستال خارجی تنظیم نمایید تا مشکلی پیش نیاید.
جهت دانلود فایل آموزش شماره 5 بر روی عکس زیر کلیک نمائید.
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
2 کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :

طراحی الکترونیک _ قسمت اول
  #10  
قدیمی 30/10/2011
آواتار asuka
asuka asuka آفلاین است
كاربر عالی
 

نام: Mohamadreza
جنسيت: مرد
شغل: Daneshjoo
پست: 629
سپاس: 770
از این کاربر 1,244 بار در 588 پست سپاسگزاری شده
اعتراض ها: 0
به این کاربر 0 بار در 0 پست اعتراض شده
چوب: 5
طراحی الکترونیک _ قسمت اول

تمامی اساتیدوافرادی که کتاب های مرجع وقدیمی در زمینه آموزش الکترونیک را مطالعه کرده باشند بی شک با کتاب طراحی الکترونیک که تالیف استاد علوی میباشد آشنایی دارند.این کتاب که به صورت دست نویس میباشد را امروز قسمت اول ان را برای دانلود قرار داده ایم.سال تالیف این کتاب مربوط به دیماه ۱۳۶۱ میباشد.
کتابی که هم اکنون نیز در آموزشکده ها و دانشگاه های سراسر کشور اموزش داده میشود و به عنوان یک مرجع اصلی به حساب می اید.
به علت حجیم بودن وکثرت صفحات کتاب ان را به چند بخش تقسیم کرده ایم که به مرور در سایت جهت دانلود خواهیم گذاشت.قسمت اول کتاب طراحی الکترونیک که امروز جهت دانلود قرار داه ایم با فرمت pdf میباشد که جهت مشاهده آن به نرم افزار adobe reader نیازدارید.
تعداد صفحات قسمت اول ۴۴ صفحه میباشدو حجم فایل حدود ۸ مگابایت میباشد . برای دانلود به ادامه مطلب بروید
طراحی الکترونیک-تالیف استاد علوی

دراین قسمت از ابتدایی ترین مطالب در زمینه الکترونیک تا بخش بوت استراپ(بوت استرپ) توضیح داده شده است که امیدوارم حداکثر بهره را ببرید. جهت دانلود کتاب بر روی عکس زیر کلیک نمائید.

رمز فایل : (فقط كاربران عضو مجاز به دیدن لینک ها هستند)
جهت دانلود فایل طراحی الکترونیک -قسمت اول بر روی عکس زیر کلیک نمائید.
__________________
Nothing is true
Everything is permitted
پاسخ با نقل قول
کاربر زیر بخاطر پست مفید از asuka سپاسگزاری کرده اند :
پاسخ

برچسب ها
آموزش, آموزشي, آی, ابر, الکترونیک, ترانزیستور, خازن, رسانا, سی, مقالات, مقاومت


ابزارهای تاپیک

قوانین ارسال
شمانمی توانید تاپیک جدید ارسال نمایید
شمانمی توانید پاسخی ارسال نمایید
شمانمی توانید پیوست ارسال نمایید
شمانمی توانید پست های خود را ویرایش نمایید

کد بی بیفعال است
شکلک ها فعال است
کد [IMG] فعال است
کدهای HTML غیر فعال است



زمان محلی شما با تنظیم GMT +4.5 هم اکنون 15:08 میباشد.


Powered by vBulletin® Version 3.8.4
Copyright ©2000 - 2018, Jelsoft Enterprises Ltd.
Copyright © 2006 - 2018 ParsiKing. All Rights Reserved to Parsiking Group
دامین های زیر جهت ارائه خدمات در مالکیت سایت پادشاه ایرانی می باشد
parsiking.com - parsiking.biz - parsiking.org - parsiking.net - parsiking.in - parsiking.ir
vBCredits v1.4 Copyright ©2007 - 2008, PixelFX Studios